通过TI的600V GaN FET功率级彻底改变高性能电力转换

建立几十年的电力管理创新，德州仪器（纳斯达克：TXN）今天宣布提供600V镓氮化镓（GaN）70-MΩ场效应晶体管（FET）功率级工程样品的可用性，使TI制作第一和唯一的半导体制造商公开提供高压驱动器集成的GaN解决方案。与TI的模拟和数字电源转换控制器耦合的新型12-A LMG3410功率级使设计人员能够与基于硅FET的解决方案相比产生更小，更高效和更高的设计。这些益处在孤立的高压工业，电信，企业计算和可再生能源应用中尤为重要。

“拥有超过300万小时的可靠性测试，LMG3410使电力设计人员能够实现甘甘道的潜力，并以以来之前不可行地重新思考其电力架构和系统，”高压功率副总裁Steve Lambouses说解决方案。“在TI对制造能力和广泛的系统设计专业知识的声誉扩展，新的电力级是GAN市场的重要一步。”

利用其集成驱动器和诸如零反恢复电流等功能，LMG3410提供可靠的性能，尤其是在硬开关应用中，可以大大降低超过80％的切换损耗。与独立GAN FET不同，易于使用的LMG3410集成内置智能，可用于温度，电流和欠压锁定（UVLO）故障保护。

经过验证的制造和包装专业知识

LMG3410是第一半导体集成电路（IC），包括由Ti制造的GaN FET。在制造和过程技术的多年专业知识上建立，TI在硅兼容的工厂中创建了它的GaN设备，并符合超出典型的联合电子设备工程委员会（JEDEC）标准的实践，以确保GaN的可靠性和鲁棒性苛刻的用例。易于使用的包装将有助于增加在功率因数控制器（PFC）AC / DC转换器，高压直流总线转换器和光伏（PV）逆变器等应用中采用GaN电源设计。

LMG3410的主要特点和优点

• 双倍功率密度。与最先进的硅基增压功率因子转换器相比，600V功率级在图腾杆PFC中提供了50％的功率损耗。降低的材料账单（BOM）计数和更高效率使电源尺寸的减少高达50％。
• 减少包装寄生电感。与离散GaN解决方案相比，新设备的8毫米×8mm四扁平无铅（QFN）封装会降低功率损耗，元件电压应力和电磁干扰（EMI）。
• 启用新的拓扑。GaN的零反转恢复充电利用新的开关拓扑，包括图腾 - 极限PFC和LLC拓扑，以提高功率密度和效率。
• 扩大GaN生态系统
• 为了支持在其电力设计中利用GaN技术的设计师，TI还推出了扩大其GaN生态系统的新产品。LMG5200POLEVM-10，48V至1V负载点（POL）评估模块，将包括新的TPS53632G GAN FET控制器，配对80-V LMG5200 GaN FET功率级。该解决方案允许工业，电信和Datacom应用中高达92％的效率。

可用性和定价

TI将提供一个开发套件，包括半桥子卡和四个LMG3410 IC样品。第二个套件包含一个系统级评估主板。当用在一起时，这两个套件可以立即启动台式测试和设计。两家开发套件可在TI商店购买，分别为299.00美元和199.00美元。

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