德州仪器(TI)在其NexFET产品线中推出了11种新型n通道功率mosfet，包括用于热插拔和ORing应用的25-V CSD16570Q5B和30-V CSD17570Q5B，采用行业最低的导通电阻(Rdson) QFN封装。此外，TI的新型12v FemtoFET CSD13383F4用于低压电池供电应用，在0.6 mm × 1 mm的封装中，达到了比竞争对手器件低84%的最低电阻。欲了解更多信息、样本或参考设计，请点击在这里
CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET mosfet在更高的电流下提供更高的功率转换效率，同时确保在计算机服务器和电信应用中的安全运行。例如，25-V CSD16570Q5B支持最大0.59百万欧姆的Rdson，而30-V CSD17570Q5B实现最大0.69百万欧姆的Rdson。阅读一篇博客，“使用热插拔和ORing FET控制器设计的功率MOSFET安全操作区域(SOA)曲线。”下载12v, 60-A热插拔参考设计，采用TI的CSD17570Q5B NexFET。
TI的新CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可以与LM27403用于DC/DC控制器应用，形成一个完整的同步降压转换器解决方案。CSD16570Q5B和CSD17570Q5B功率mosfet可以与TPS24720等TI热插拔控制器配对。下载应用说明“稳健热插拔设计”，以了解如何选择晶体管作为传递元件，以及如何确保在所有可能的条件下安全运行。
可用性、包装和定价
TI和其授权经销商现在可以大量提供，产品价格从0.10美元的FemtoFET CSD13383F4到1.08美元的CSD17670Q5B和CSD17570Q5B，都是1000个单位的数量。
关于TI的NexFET功率mosfet
TI的NexFET功率mosfet提高了大功率计算、网络、工业和电源的能源效率。这些高频、高效率的模拟功率mosfet为系统设计人员提供了最先进的DC/DC功率转换解决方案。
了解更多关于德州仪器的电源管理产品:
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