德州仪器公司
CSD18541F5金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)保持54-mΩ的典型导通电阻(Rdson)，并被设计和优化以取代空间有限的工业负载开关应用中的标准小信号MOSFET。小型地面网格阵列(LGA)封装具有0.5毫米间距的垫之间，便于安装。阅读这篇博文，“用新型60V飞秒场效应晶体管缩小你的工业足迹。”
CSD18541F5扩展了TI公司的飞秒fet mosfet的NexFET™技术组合，包括更高的电压和易于制造的足迹。下载带有LGA包更多信息的设计摘要。
CSD18541F5主要功能和优点
Rdson的10v门对源(VGS)超低54-mΩ比传统的60v负载开关低90%，提供更低的功率损耗。
超小1.53 mm × 0.77 mm × 0.35 mm LGA封装比传统SOT-23封装的负载开关小80%，减少了印制电路板(PCB)板的空间。
易于制造的0.5毫米垫间距。
集成的静电放电（ESD）保护二极管保护MOSFET栅极过电压。
可用性，包装和定价
CSD18541F5目前可从TI公司及其授权经销商处批量购买，包装为3针LGA包装，1000个单位的价格为0.14美元。下载PSpice瞬态模型。
关于TI公司的NexFET功率mosfet
TI的NEXFET功率MOSFET提高了大功率计算，网络，工业和电源的能效。这些高频，高效模拟功率MOSFET提供了系统设计人员可提供最先进的直流直流/直流电源转换解决方案。
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